内存短缺危机加剧美光CEO警告供应紧张或持续至2028年

2026-11-02 | 张英

内存短缺为何愈演愈烈

近日，美光科技首席执行官在财报电话会议上明确表示，内存供应短缺的情况不仅没有缓解，反而正在进一步加剧。他预计这一轮供需失衡将至少持续到2028年。这一表态让全球科技行业再次聚焦到DRAM和NAND闪存的价格走势上。

内存短缺的核心原因来自需求端的爆发式增长。人工智能、高性能计算、自动驾驶以及数据中心对存储芯片的需求远超以往，而供给端的扩产周期却相当漫长。美光、三星、SK海力士等主要厂商虽然加大资本开支，但新工厂从建设到量产通常需要两到三年时间，远水难解近渴。

美光CEO此番言论出自其业绩表现强劲的时期——公司净利润大幅增长，现金流充裕，可以说是“坐在一座金山之上”。然而，他并不为此感到轻松，反而警告客户和投资者，存储芯片的高景气度可能持续数年，但这背后也意味着下游设备制造商将面临长期的价格压力。

从产业规律来看，内存行业具有明显的周期性。过去几年，厂商曾因供过于求而陷入低谷，如今则进入超级上行周期。美光高层认为，这一轮上行周期不同于以往，因为AI驱动的存储需求并非短期炒作，而是结构性变革。无论是云端训练大模型，还是终端设备运行AI应用，都需要更大容量、更高带宽的内存支持。

内存短缺首先冲击的是个人电脑和智能手机市场。DRAM合约价格连续多个季度上涨，导致整机厂商成本上升。许多品牌不得不提高产品售价，或者通过缩减内存配置来控制成本。消费者在购买新电脑或手机时，可能会发现同等价位的设备内存变少，或者需要额外支付升级费用。

服务器和数据中心领域受到的冲击更为明显。云服务商正在大规模采购AI服务器，这些服务器对内存容量的要求远高于传统机型。HBM（高带宽内存）等先进封装技术的产能有限，进一步挤占了常规DRAM的晶圆产能。美光、海力士等厂商将更多资源投向HBM，导致标准DDR5内存供应更加紧俏。

存储芯片制造属于资本密集和技术密集型行业。一座先进的晶圆厂投资高达百亿美元级别，且需要全球顶级设备，如EUV光刻机。更重要的是，从设计到验证再到量产，良率爬坡充满不确定性。即便厂商立即决策扩产，实际产能释放也要等到2026年以后。

此外，存储芯片的研发周期也在拉长。随着制程微缩接近物理极限，摩尔定律放缓，厂商不得不依靠3D堆叠和先进封装来提升性能。这些技术创新固然能增加单位面积容量，但也增加了生产复杂度和成本。因此，内存价格在中期内难以恢复到过去几年的低水平。

美光CEO给出“至少持续到2028年”的判断，意味着至少未来两三年内存价格将保持高位。对于消费者和企业而言，需要调整采购策略，提前规划库存。对于投资者，存储板块的周期性行情可能比以往更持久，但也要警惕需求波动带来的风险。

展望未来，如果AI应用落地速度不及预期，或者全球经济衰退抑制消费电子需求，内存供需关系仍可能在2027年后出现变化。但就目前而言，各主要厂商的产能计划都趋于谨慎，行业集中度提高也使得头部企业更倾向于维持利润而不是盲目降价。因此，内存短缺的“持久战”大概率将成为未来几年科技产业的重要主题。

无论是普通用户还是企业IT部门，都应密切关注内存价格的动态。合理规划预算，选择合适时机升级设备，才能在内存短缺潮中把握主动。而随着美光等厂商持续加码新产能，2028年或许能成为供需平衡的转折点，但在此之前，我们仍需做好继续过“紧日子”的准备。